提高存储器的工作速度

双端口RAM

多模块存储器

单体多字存储器

• 多体并行存储器

低位交叉编制的流水线并行存取

模块存取一个字的存取周期为 T，总线传送周期为 r，为实现流水线方式存取，存储器交叉模块数应大于等于 $m = T/r$ ，m 为交叉存取度。

每经过 r 时间延迟后启动下一个模块。

交叉存储器要求模块数必须大于等于m，以保证启动某模块后经过 m*r 的时间后再次启动该模块时，其上次的存取操作已经完成。

这样，连续存取 m 个字所需的时间为 $t_1 = T+(m-1)r$ 。

而顺序方式连续读取 m 个字所需的时间为 $t_2 = mT$

• 📌 低位交叉编制的流水线并行存取计算题

低位交叉编址读取数据所需的存储周期

例如，4个64M8位的DRAM芯片采用低位交叉编址，一个存储周期可以读取48b，若要读取一个double型变量，其物理地址位804001AH，根据低位交叉编址特点，可知低2位为芯片号，804001AH所在芯片号为2，读取芯片是从0号开始，所以第一个存储周期只能读28b，第二个存储周期可以全读到48b，最后一个存储周期读剩余的2*8b，总共读取8B，需要3个存储周期。