DRAM - Dynamic Random Access Memory - 动态随机存取存储器

DRAM刷新

刷新：DRAM电容上的电荷一般只能维持1~2ms，每隔一段时间（默认为2ms）需要重新进行刷新，类似一个读操作，以行为单位，每刷新一行占用一个读写周期，由专门的刷新电路完成（不需要CPU干预）。

• 集中刷新
• 分散刷新
• 异步刷新

DRAM行列地址分时复用技术

分两次送入行列地址，地址线可减少一半。

• 地址复用技术只适用于DRAM，不适用于SRAM
• 地址复用技术的目的是为了减少地址线的数量，便于增加DRAM的集成度
• 地址复用技术的本质是分两次送行列地址，因为半导体存储芯片的核心存储矩阵是采用行列地址交叉确定存储单元，所以既可以像SRAM那样一次同时取得行列地址，提高运行速度，也可以像DRAM那样分两次取得行列地址，减少地址线的数量。
• 另外SRAM与DRAM有许多不同，这个技术也是导致不同的原因之一。

假定DRAM芯片中存储阵列的行数为r，列数为c，对于一个 $2K\times 1$ 位的DRAM芯片，为保证其地址引脚数最少，并尽量减少刷新开销，则r和c的取值分别是___

A. 2048,1 B. 64,32 C. 32,64 D.1, 2048

选择C